Global Power Technologies Group GP1M010A080N
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- GP1M010A080N
- Global Power Technologies Group
- MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- GP1M010A080N 數據表
- TO-3P-3, SC-65-3
- TO-3P-3, SC-65-3
-
無鉛/符合RoHS - 3283
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| Part Number GP1M010A080N |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Global Power Technologies Group |
| Description MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN |
| Package TO-3P-3, SC-65-3 |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package TO-3PN |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 312W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2336pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Package_case TO-3P-3, SC-65-3 |
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