Rectron USA RM10N30D2
圖片僅供參考，請參閱產品規格
- RM10N30D2
- Rectron USA
- MOSFET N-CH 30V 10A 6PQFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RM10N30D2 數據表
- 6-WDFN Exposed Pad
- Cut Tape (CT)
-
無鉛/符合RoHS - 3413
- 現貨庫存/特許經銷商/工廠剩餘庫存
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| Part Number RM10N30D2 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Rectron USA |
| Description MOSFET N-CH 30V 10A 6PQFN |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 6-WDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package 6-PQFN (2x2) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 730mW (Ta) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1415 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case 6-WDFN Exposed Pad |
RM10N30D2 保障
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