Rectron USA RM80N80HD
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- RM80N80HD
- Rectron USA
- MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO263-2
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RM80N80HD 數據表
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
-
無鉛/符合RoHS - 1000
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| Part Number RM80N80HD |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Rectron USA |
| Description MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO263-2 |
| Package Bulk |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package TO-263-2 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 170W (Ta) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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